Memoria no volátil
| Memoria de la computadora tipos |
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| En el desarrollo |
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Memoria no volátil, memoria no volátil, NVM o almacenamiento no volátil es memoria de la computadora Puedes recuperar la información almacenada incluso cuando no funciona. Ejemplos de memoria no volátil memoria de sólo lectura, memoria Flash, RAM ferroeléctrico (F-RAM), casi todos los tipos de magnético almacenamiento de la computadora dispositivos (e.g. discos duros, los disquetes, y cinta magnética), discos ópticosy métodos de almacenamiento de ordenador principios tales como cinta de papel y tarjetas perforadas.
Memoria no volátil se utiliza normalmente para la tarea de almacenamiento secundario, o almacenamiento persistente a largo plazo. La forma más ampliamente utilizada de almacenamiento de información primario Hoy es una forma volátil de memoria de acceso aleatorio (RAM), lo que significa que cuando se apaga el ordenador, nada contenido en la memoria RAM se pierde. Sin embargo, mayoría de las formas de memoria no volátil tiene limitaciones que los hacen no aptos para su uso como almacenamiento de información primario. Por lo general, memoria no volátil o cuesta más o tiene un pobre rendimiento de memoria de acceso aleatorio volátil.
Varias compañías están trabajando en el desarrollo de sistemas de memoria no volátil comparables en velocidad y capacidad de RAM volátil. IBM está desarrollando actualmente MRAM (Magnetoresistive RAM). No sólo ahorraría energía esa tecnología, pero permitiría que para los equipos que podrían ser enciende y apaga casi al instante, evitando la secuencia de arranque y apagado lenta. Además Ramtron International ha desarrollado, producido y con licencia RAM ferroeléctrico (F-RAM), una tecnología que ofrece propiedades distintas de otras opciones de memoria no volátil, incluyendo resistencia extremadamente alta (superior a 1016 lectura/escritura ciclos para dispositivos de 3,3 V), ultra bajo consumo de energía (desde F-RAM no requiere una bomba de carga como otras memorias no volátiles), ciclo de solo escritura velocidades y tolerancia de radiación gamma. Otras compañías que tienen licencia y producido tecnología F-RAM incluyen Texas Instruments, Rohm, y Fujitsu.
Almacenamiento de datos no volátil se puede categorizar en sistemas eléctricamente dirigido (memoria de sólo lectura) y dirigida mecánicamente (sistemasdiscos duros, disco óptico, cinta magnética, Memoria holográficay tal). Sistemas eléctricamente dirigidos son caros, pero rápido, mientras que mecánicamente aborda los sistemas tienen un precio bajo por bit, pero son lentos. Memoria no volátil un de puede día elimina la necesidad de formas relativamente lentas de los sistemas de almacenamiento secundario, que incluyen discos duros.
Contenido
- 1 Eléctricamente dirigido
- 1.1 Dispositivos de lectura-en su mayoría
- 1.2 Memoria Flash
- 1.3 RAM ferroeléctrico (F-RAM)
- 1.4 Magnetoresistive RAM (MRAM)
- 2 Mecánicamente los sistemas accedido
- 2.1 Nanodrive
- 2.2 Almacenamiento holográfico
- 3 Orgánica
- 4 Especificaciones
- 5 Referencias
Eléctricamente dirigido
Eléctricamente dirigido semiconductor no volátil recuerdos pueden categorizarse según su mecanismo de escritura. Máscara ROMs son programables en fábrica solamente y típicamente utilizados para productos de gran volumen no es necesarios ser actualizados después de la fabricación. Memoria programable de sólo lectura puede ser modificado después de la fabricación, pero requieren un programador especial y generalmente no puede ser programada en el sistema de destino. La programación es permanente y cambios adicionales requieren reemplazo del dispositivo. Datos se almacenan físicamente alterando (ardiente) lugares de almacenamiento en el dispositivo.
Dispositivos de lectura-en su mayoría
Un EPROM es una ROM borrable que puede cambiar más de una vez. Sin embargo, escribir nuevos datos en una EPROM requiere un circuito programador especial. EPROM tiene una ventana de cuarzo que le permita ser borradas con luz ultravioleta, pero se borra todo el dispositivo a la vez. Un dispositivo (OTP) programable una sola vez utiliza un chip EPROM pero omite la ventana de cuarzo en el paquete; Esto es menos costoso de fabricar. Una borrable eléctricamente programable memoria de sólo lectura EEPROM utiliza señales eléctricas para borrar la memoria. Estos dispositivos de memoria borrable requieren mucho tiempo para borrar datos y escribir nuevos datos; generalmente no están configurados para ser programado por el procesador del sistema de destino. Los datos se almacenan por uso de transistores de puerta flotante que requieren voltajes de funcionamiento especiales para ser aplicado para atrapar o liberación de carga eléctrica en una puerta de control aislado para sitios de almacenamiento.
Memoria Flash
El chip de memoria flash es un cercano en relación con la EEPROM; difiere en que sólo puede borrar un bloque o "página" en un momento. Es un chip de estado sólido que mantiene los datos almacenados sin ninguna fuente de alimentación externa.[1] La capacidad es sustancialmente mayor que la de una EEPROM, haciendo estos chips una opción popular para cámaras digitales y PC de escritorio BIOS fichas.
Los dispositivos utilizan dos tecnologías diferentes de lógicas de memoria Flash — NOR y NAND — para asignar datos. Flash NOR proporciona alta velocidad de acceso aleatorio, la lectura y datos de escritura en ubicaciones de memoria específicos; puede recuperar tan poco como un solo byte. Memoria flash NAND Lee y escribe secuencialmente a alta velocidad, manejo de datos en pequeños bloques llamados páginas, sin embargo es más lento en lectura en comparación con NOR. Memoria flash NAND Lee más rápido de lo que escribe, transferir rápidamente páginas enteras de los datos. Menos costoso que NOR flash a altas densidades, la tecnología NAND ofrece mayor capacidad para el silicio del mismo tamaño.[1]
RAM ferroeléctrico (F-RAM)
RAM ferroeléctrico (FeRAM, F-RAM o FRAM) es un memoria de acceso aleatorio similar en construcción DRAM Pero (en vez de un dieléctrico capa como en DRAM) contiene una fina capa ferroeléctrica de titanato zirconato de plomo [Pb (Zr, Ti) O3], comúnmente conocida como PZT. Los átomos Zr/Ti en el PZT cambian la polaridad en un campo eléctrico, produciendo un interruptor binario. A diferencia de los dispositivos RAM, F-RAM conserva su memoria cuando energía se apaga o interrumpido, debido al cristal PZT manteniendo la polaridad. Debido a esta estructura de cristal y cómo es influido, F-RAM ofrece propiedades distintas de otras opciones de memoria no volátil, incluyendo resistencia extremadamente alta (superior a 1016 lectura/escritura ciclos para dispositivos de 3,3 V), ultra bajo consumo de energía (desde F-RAM no requiere una bomba de carga como otras memorias no volátiles), ciclo de solo escritura velocidades y tolerancia de radiación gamma.[2]
Magnetoresistive RAM (MRAM)
Magnetoresistive RAM es uno de los enfoques más recientes de memoria no volátil y almacena los datos en los elementos de almacenamiento magnético llamados uniones túnel magnético (MTJ). MRAM tiene un futuro prometedor especialmente como pretende abarcar todas las características deseables de los otros tipos populares de memoria (resistencia infinita, falta de volatilidad, alta velocidad lectura/escritura, de bajo coste).[3]
La 1ª generación de MRAM, tales como Everspin Technologies' 4 Mbit, utilizaron campo inducido por escrito. La segunda generación se está desarrollando principalmente a través de dos enfoques: Conmutación asistida termal (TAS)[3] que está siendo desarrollado por Tecnología de azafrán, y Transferencia de esfuerzo de torsión vuelta (STT) que Crocus, Hynix, IBM, y varias otras compañías están desarrollando.[4]
Mecánicamente los sistemas accedido
Mecánicamente aborda los sistemas utilizan una estructura de contacto ('cabeza') para leer y escribir en un medio de almacenamiento designado. Puesto que el diseño de los circuitos no es un factor clave para la densidad de datos, la cantidad de almacenamiento es normalmente mucho mayor que para sistemas eléctricamente dirigidos.
Puesto que el tiempo de acceso depende de la ubicación física de los datos en el dispositivo, sistemas mecánicamente dirigidos no pueden ser "de acceso aleatorio" como son eléctricamente dirigido semiconductor NVRAM. Por ejemplo, cinta magnética almacena los datos como una secuencia de bits en una cinta larga; transporte de la cinta pasada la cabeza de lectura/escritura es necesaria para acceder a cualquier parte del almacenamiento de información. Los medios de cinta pueden ser quitados de la unidad y almacenados, dando capacidad indefinida a costa del tiempo requerido para recuperar una cinta desmontada.
Disco duro las unidades utilizan un disco magnético giratorio para almacenar datos; tiempo de acceso es más para la memoria de semiconductor, pero es muy bajo costo por bit de datos almacenados. Anteriormente, los paquetes de disco extraíbles eran comunes, permitiendo que la capacidad de almacenamiento que se ampliará. Discos ópticos almacenar datos mediante la alteración de una capa de pigmento en un disco de plástico. Existen versiones de sólo lectura y lectura y escritura; extraíble permite otra vez la expansión indefinida, y algunos sistemas automatizados se utilizaron para recuperar y montar discos bajo control directo del programa.
Nanodrive
Almacenamiento holográfico
Orgánica
Existen polímeros impreso memoria ferroeléctrica.
Película fina electrónica ("Thinfilm") produce regrabable no volátil orgánica de memoria basada en polímeros ferroeléctricos. ThinFilm demostrada con éxito rollo a rollo impreso recuerdos en 2009.[5][6][7]
En De ThinFilm orgánica de memoria el ferroeléctricos polímero se intercala entre dos juegos de electrodos en una matriz pasiva. Cada cruce de líneas metálicas es un condensador ferroeléctrico y define una célula de memoria. Esto da una memoria no volátil comparable a RAM ferroeléctrico tecnologías y ofrecen la misma funcionalidad que memoria Flash.
Especificaciones
| Especificación (marzo de 2007)[8] | 2.5" HDD | 1" microdrive | Memoria Flash | Disco óptico | Cinta | MRAM |
|---|---|---|---|---|---|---|
| El modelo | Hitachi Travelstar 5k 160[9] | Hitachi Microdrive 3k 8[10] | Hynix HY27UH08AG5M[11] | Blu-ray | HP Ultrium 960[12] | MR2A16A Everspin (anteriormente de Freescale Semiconductor)[13] |
| Densidad (GBit/cm2) | 20.3 | 18.4 | 6.7 | 3.8 | 0.047 | 0.0021 |
| Capacidad (GB) | 160 | 8 | 2 | 50 | 400 | 0.004 |
| Precio por poco (Eur/GB) | 1.5 | 9.0 | 6.0 | 1.25 | 0.075 | 35000 |
| Precio unitario (Eur) | 110 | 87 | 14 | 635 | 2340 | 17.4 |
| Precio medio (Eur) (para extraíbles) | nd | nd | nd | 40 | 30 | nd |
| Tarifa de datos (Mbit/s) | 540 | 80 | 23 | 144 | 640 | 436 |
| Tiempo de acceso (ms) (promedio/típica) | 11 | 12 | 0.025 | 180 | 72000 | 1.000035 |
| Consumo de energía (W) (promedio) | 1.8 | 0.6 | 0.1 | 25 | 20 | 0.08 |
| Factor de forma (h x w x d) (cm) | 0.95x7x10 | 0.5x3x4 | 0.1x1.2x2 | 4 x 15 x 19 | 2 x 10 x 10 | 0.1x1x1.8 |
Referencias
- ^ a b Por Russell Kay, ComputerWorld. “Memoria Flash.” 07 de junio de 2010.
- ^ Tecnología de memoria F-RAM, Ramtron.com, obtenido 30 de enero 2012
- ^ a b El surgimiento de práctica MRAM https://www.Crocus-Technology.com/pdf/BH%20GSA%20Article.pdf
- ^ [1][link muerto]
- ^ ThinFilm y InkTec concedido IDTechEx' Premio fabricación de desarrollo técnico IDTechEx, 15 de abril de 2009
- ^ PolyIC, ThinFilm anuncian piloto del volumen impreso plásticos recuerdos EETimes, 22 de septiembre de 2009
- ^ Todo listo para la producción de alto volumen de memorias impresas Mundo de la electrónica impresa, 12 de abril de 2010
- ^ Informationstoragecourse2007, BluWiki, 13 de julio de 2009, obtenido 30 de enero 2012
- ^ [2][link muerto]
- ^ https://www.hitachigst.com/Tech/techlib.NSF/techdocs/7F878B7F4496E2B686257061007D3C30/ $file/HGST_3K8_091506.pdf
- ^ https://www.Hynix.com/Datasheet/pdf/Flash/HY27UH08AG (5_D) M % 20 (Rev0.6) .pdf
- ^ https://h18000.www1.HP.com/products/quickspecs/12128_div/12128_div.pdf
- ^ https://www.Freescale.com/files/Microcontrollers/doc/data_sheet/MR2A16A.pdf